تراشه‌های مبتنی‌بر نسل دوم لیتوگرافی ۳ نانومتری به تولید انبوه می رسند

تراشه‌های مبتنی‌بر نسل دوم لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA سامسونگ سال ۲۰۲۴ به‌ تولید انبوه می‌رسند.

انتظار می‌رود نسل دوم فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ در سال ۲۰۲۴ وارد مرحله‌ی تولید انبوه شود و فروشندگان گوشی‌های هوشمند برای ساخت تراشه‌های مبتنی‌بر لیتوگرافی ۳ نانومتری، همکاری‌های جدیدی را با سامسونگ آغاز کنند.