موسسه تحقیقات فناوری الکترونیک روسیه، تولید انبوه ترانزیستورهای کارآمد جدید با یک فناوری خاص برای نیمه‌‌رساناهایِ با پایه اکسید فلزی (اِل‌دیمُس) آغاز کرده است.
در ساخت این ترانزیستور از نیترید گالیُوم بر روی بستر سیلیکون استفاده شده است و بسیار کم‌مصرف است. محصول جدید در میکروکنترل‌ها، میکرورایانه‌ها، دستگاه‌های مبتنی بر اینترنت اشیاء و تجهیزات رادیوالکتریکی مورد استفاده قرار می‌‌گیرد.
